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[行業(yè)動態(tài)]高功率電子器件散熱的關(guān)鍵：氮化鋁與氮化硅陶瓷基板

隨著電子芯片技術(shù)的飛速發(fā)展，其綜合性能不斷提升，尺寸卻日益微型化。然而，這一進(jìn)步也帶來了新的挑戰(zhàn)——芯片工作時產(chǎn)生的熱流密度急劇增加。對于電子器件而言，溫度每升高10℃，其有效壽命可能會降低30%到50%

2025-07-03 http://www.xphdx.cn/Article/gaogonglvdianziqijia.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅AMB陶瓷覆銅基板界面空洞率的關(guān)鍵技術(shù)與工藝探索

在現(xiàn)代電子封裝領(lǐng)域，氮化硅（Si?N?）AMB陶瓷覆銅基板憑借其卓越的熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)異的電氣絕緣性能，逐漸成為高端電子設(shè)備的關(guān)鍵材料。然而，銅/陶瓷界面的空洞率問題卻成為了制約其產(chǎn)品可靠性的核心瓶頸。高空洞率區(qū)域不僅會導(dǎo)致界面剝離強(qiáng)度顯著下降，還可能引發(fā)局部放電隱患，嚴(yán)重?fù)p害基板的電氣性能與長期服役可靠性，尤其是在高溫、大電流等嚴(yán)苛工況下。因此，將界面空洞率降至最低，甚至趨近于零，已成為保障基板質(zhì)量的關(guān)鍵目標(biāo)，下面由深圳金瑞欣小編來講解一下：空洞成因的深度解析1、原料表面瑕疵陶瓷、無氧銅及焊片表面的劃痕、凹坑、氧化或有機(jī)污染等問題，猶如隱形的“陷阱”，阻礙了焊料的潤濕鋪展，為界面空洞的形成埋下了隱患。這些微小的瑕疵在焊接過程中可能會導(dǎo)致焊料無法充分覆蓋，從而形成空洞。2、活性元素失活焊料中的關(guān)鍵活性

2025-07-01 http://www.xphdx.cn/Article/danhuaguiAMBtaocifut.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁陶瓷基板：破解高熱導(dǎo)率散熱材料的制備難題

在半導(dǎo)體功率器件、5G通信和新能源汽車等高新科技領(lǐng)域，高效散熱材料的需求日益迫切。而氮化鋁（AlN）粉體及其陶瓷基板，憑借其卓越的高熱導(dǎo)率等特性，正逐漸成為破解這一難題的“金鑰匙”

2025-06-28 http://www.xphdx.cn/Article/danhualvtaocijibanpo.html
[行業(yè)動態(tài)]國產(chǎn)AMB陶瓷基板突破封鎖：高端電子材料的逆襲之路

在功率電子領(lǐng)域，高性能陶瓷基板堪稱“芯片的骨骼”，其性能直接決定了IGBT、SiC等功率器件的可靠性與壽命。近年來，隨著新能源汽車、光伏、5G通信等產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)，活性金屬釬焊AMB陶瓷覆銅基板因其卓越的散熱性、高結(jié)合強(qiáng)度和耐高溫性能，成為行業(yè)關(guān)鍵材料

2025-06-26 http://www.xphdx.cn/Article/guochanAMBtaocijiban.html
[行業(yè)動態(tài)]LED散熱基板的三大類型及其發(fā)展趨勢

在當(dāng)今的LED產(chǎn)業(yè)中，提升發(fā)光效率的關(guān)鍵在于有效降低LED晶粒散熱基板的熱阻。散熱基板的性能直接影響著LED產(chǎn)品的發(fā)光效率和使用壽命。目前，LED陶瓷基板主要分為三種類型：低溫共燒多層陶瓷、厚膜陶瓷基板和薄膜陶瓷基板。

2025-06-14 http://www.xphdx.cn/Article/LEDsanrejibandesanda.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷覆銅基板剝離強(qiáng)度測試與性能分析

AMB陶瓷覆銅基板作為一種高性能的電子封裝材料，其銅層與陶瓷基板之間的結(jié)合強(qiáng)度是衡量其質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)之一。剝離強(qiáng)度作為表征結(jié)合強(qiáng)度的重要參數(shù)，能夠直觀地反映銅層與陶瓷之間的附著力。

2025-06-10 http://www.xphdx.cn/Article/taocifutongjibanbaol.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁基板加工：技術(shù)與應(yīng)用的深度剖析

在高端電子器件和功率模塊快速發(fā)展的今天，散熱問題已成為制約設(shè)備性能提升的關(guān)鍵瓶頸。氮化鋁（AlN）陶瓷基板憑借其卓越的熱導(dǎo)率和優(yōu)異的熱-機(jī)-電綜合性能，正逐漸成為高功率密度電子封裝的首選材料。

2025-06-05 http://www.xphdx.cn/Article/danhualvjibanjiagong.html
[行業(yè)動態(tài)]Bosch Research通過3D打印技術(shù)制造陶瓷覆銅基板

電力電子器件采用雙面覆銅陶瓷基板，傳統(tǒng)制造和處理功能結(jié)構(gòu)的方法復(fù)雜且昂貴。尤其是由于功能結(jié)構(gòu)較小，使用貼裝工藝來制造和處理這些結(jié)構(gòu)的成本高昂且過程復(fù)雜。此外，功能結(jié)構(gòu)與基板的連接需要額外的制造和連接工藝，例如燒結(jié)，這些工藝可能在功能結(jié)構(gòu)和基板之間產(chǎn)生熱阻。

2024-08-13 http://www.xphdx.cn/Article/BoschResearchtongguo.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的制作工藝

采用通過磁控濺射，圖形化光刻，干法濕法蝕刻，電鍍加厚工藝，在陶瓷基板上制作出超細(xì)線條電路圖形。

2024-07-03 http://www.xphdx.cn/Article/taocijibandezhizuogo.html
[行業(yè)動態(tài)]銀銅鈦 (AgCuTi) 為何在IGBT上應(yīng)用

隨著我國新能源汽車、高鐵、城市軌道交通以及智能電網(wǎng)的高速發(fā)展，對高壓大功率IGBT模塊的需求日益增長。相較于其他應(yīng)用領(lǐng)域，車規(guī)級 IGBT模塊對產(chǎn)品安全、可靠性提出耐高溫、散熱性優(yōu)、工作溫度范圍廣、使用壽命長等更高要求。據(jù)報道，約70%的IGBT模塊失效歸因于散熱不良引起的鍵合線剝離或熔斷。芯片的散熱主要通過IGBT模塊中的陶瓷基板來實現(xiàn)，其作用是吸收芯片的產(chǎn)熱并傳導(dǎo)至熱沉上，從而實現(xiàn)芯片與外界之間的熱交換。閱讀本文前，歡迎識別二維碼加入艾邦I(lǐng)GBT/SiC產(chǎn)業(yè)鏈交流群。

2024-03-11 http://www.xphdx.cn/Article/yintong(AgCuTi)weihe.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷覆銅基板抗彎強(qiáng)度介紹

陶瓷材料的彎曲強(qiáng)度是金屬化陶瓷基板的一項重要性能，因為它在裝配過程中影響到基板的可靠性和強(qiáng)度。彎曲強(qiáng)度通常表征為陶瓷對拉伸強(qiáng)度的阻力。這取決于陶瓷材料和材料中宏觀缺陷的類型、分布以及測量、評估方法。

2023-12-15 http://www.xphdx.cn/Article/taocifutongjibankang.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB活性金屬釬焊法，陶瓷與金屬的完美結(jié)合

相比于傳統(tǒng)的DBC基板，采用AMB工藝制備的陶瓷基板，不僅具有更高的熱導(dǎo)率、更好的銅層結(jié)合力，而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢；此外，因其加工過程能在一次升溫中完成，操作簡便、時間周期短、封接性能好并且對陶瓷的適用范圍廣，所以該工藝在國內(nèi)外發(fā)展較快，成為了電子器件中常用的一種方法。

2023-12-11 http://www.xphdx.cn/Article/AMBhuoxingjinshuqian.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔(dān)負(fù)絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機(jī)械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-11-15 http://www.xphdx.cn/Article/Si3N4-AMBtaocijiband.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

針對氮化鋁陶瓷基板的IGBT應(yīng)用展開分析，著重對不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進(jìn)行可靠性進(jìn)行研究。通過對比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強(qiáng)度、熱循環(huán)、功率循環(huán)，分析結(jié)果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強(qiáng)度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環(huán)達(dá)到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測試7萬次，滿足IGBT模塊對陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 http://www.xphdx.cn/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板在高功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔(dān)負(fù)絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機(jī)械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-08-28 http://www.xphdx.cn/Article/Si3N4-AMBtaocijibanz.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的現(xiàn)狀及發(fā)展淺析

陶瓷材料在電子工業(yè)中扮演著重要的角色，其電阻高，高頻特性突出，且具有熱導(dǎo)率高、化學(xué)穩(wěn)定性佳、熱穩(wěn)定性和熔點高等優(yōu)點。在電子線路的設(shè)計和制造非常需要這些的性能，因此陶瓷被廣泛用于不同厚膜、薄膜或和電路的基板材料，還可以用作絕緣體，在熱性能要求苛刻的電路中做導(dǎo)熱通路以及用來制造各種電子元件，廣泛應(yīng)用于功率電子、電子封裝、混合微電子與多芯片模塊等領(lǐng)域。

2023-07-28 http://www.xphdx.cn/Article/taocijibandexianzhua.html
[行業(yè)動態(tài)]DBC直接鍵合陶瓷基板特性及應(yīng)用

現(xiàn)代微電子技術(shù)發(fā)展迅猛,芯片功率及模塊功率密度大大升高,電子元件和系統(tǒng)工作熱耗散顯著增加。陶瓷覆銅基板具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性、機(jī)械性能，廣泛應(yīng)用于功率電子、電子封裝、混合微電子與多芯片模塊等領(lǐng)域。

2023-07-26 http://www.xphdx.cn/Article/DBCzhijiejianhetaoci.html
[行業(yè)動態(tài)]2023年AMB陶瓷基板實力企業(yè)榜單

近幾年來，在新能源汽車市場暴增刺激下，碳化硅模塊上車的進(jìn)程大幅超過市場預(yù)期，AMB陶瓷基板優(yōu)異導(dǎo)熱和抗彎性能已經(jīng)成為SiC芯片最佳封裝材料。根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模從2016年的約10億美元增長到2020年的約15億美元，年復(fù)合增長率為7.5%左右。預(yù)計到2025年，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模將達(dá)到約20億美元，年復(fù)合增長率為5.5%左右。

2023-07-24 http://www.xphdx.cn/Article/2023nianAMBtaocijiba.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板工藝簡介

在電子陶瓷封裝中，陶瓷基板除了為電路和芯片提供結(jié)構(gòu)支撐和電氣互連，還必須為其提供良好的熱處理以確保正常工作。

2023-07-17 http://www.xphdx.cn/Article/taocijibangongyijian.html
[行業(yè)動態(tài)]鋁基碳化硅（AlSiC）在IGBT上的應(yīng)用

大電流IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊在工作時，會產(chǎn)生大量的熱。尤其是工作電流達(dá)到600A以上的IGBT模塊。類似功率模塊的封裝熱管理工藝中，考慮的目標(biāo)是消除熱結(jié)。那么，需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設(shè)盡量暢通。

2023-06-26 http://www.xphdx.cn/Article/lvjitanhuaguiAlSiCza.html