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[行業(yè)動態(tài)]陶瓷封裝將成為主流電子封裝技術(shù)

電子元件長期在高溫、高濕等環(huán)境下運轉(zhuǎn)將導(dǎo)致其性能惡化，甚至可能會被破壞。因而，需要采用有效的封裝方式，不斷提高封裝材料的性能，才能使得電子元件在外界嚴(yán)苛的使用環(huán)境下保持良好的穩(wěn)定性。

2023-06-14 http://www.xphdx.cn/Article/taocifengzhuangjiang.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊生產(chǎn)工藝流程及主要設(shè)備

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。IGBT模塊生產(chǎn)過程主要是把晶圓貼片在陶瓷基板上，鍵合線，插針，點膠密封等過程。在閱讀本文之前，歡迎識別二維碼加入艾邦I(lǐng)GBT產(chǎn)業(yè)微信群；

2023-06-05 http://www.xphdx.cn/Article/IGBTmokuaishengchang.html
[行業(yè)動態(tài)]超聲波掃描技術(shù)在IGBT模塊檢測的應(yīng)用

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT雙極型三極管和絕緣柵型MOS場效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件。其具有高輸入阻抗，低導(dǎo)通壓降，高速開關(guān)特性和低導(dǎo)通狀態(tài)損耗等特點，非常適合高電壓和高電流的光伏逆變器、儲能裝置和新能源汽車等電力電子應(yīng)用。

2023-05-17 http://www.xphdx.cn/Article/chaoshengbosaomiaoji.html
[行業(yè)動態(tài)]大功率IGBT功率模塊用氮化鋁覆銅基板

隨著高速鐵路、城市軌道交通、新能源汽車、智能電網(wǎng)和風(fēng)能發(fā)電等行業(yè)發(fā)展，對于高壓大功率IGBT模塊的需求迫切且數(shù)量巨大。由于高壓大功率IGBT模塊技術(shù)門檻較高，難度較大，特別是要求封裝材料散熱性能更好、可靠性更高、載流量更大。高壓大功率IGBT模塊所產(chǎn)生的熱量主要是通過陶瓷覆銅板傳導(dǎo)到外殼而散發(fā)出去的，因此陶瓷覆銅板是電力電子領(lǐng)域功率模塊封裝的不可或缺的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。

2023-04-17 http://www.xphdx.cn/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[常見問題]銅基板和陶瓷基板有什么區(qū)別呢？

銅基板陶瓷基板都是具有電氣性能的電路板，都使用在高頻和高溫產(chǎn)品領(lǐng)域，但是陶瓷基板銅基板有什么區(qū)別呢...

2023-04-07 http://www.xphdx.cn/Article/tongjibantaocijibany.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊構(gòu)成各部件的材料

目前，功率器件和模塊主要采用引線鍵合的互連工藝和平面封裝結(jié)構(gòu)。圖1為普通IGBT模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。從上圖可以看出，IGBT模塊共由7層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，大致可以分成三部分：芯片、DBC和散熱基板。每部分之間由焊錫連接而成。IGBT是在晶閘管的基礎(chǔ)上發(fā)展而來，但與傳統(tǒng)的晶閘管相比，IGBT模塊省去了內(nèi)部的陰極和陽極金屬層，分別由芯片表面引出的焊線及DBC上層銅板代替。除此之外，原先的鎳金屬緩沖層也被去掉了，其代價是單個IGBT芯片的容量減少。為了彌補這一缺陷，需要在DBC板上安置更多的IGBT芯片。IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成，如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數(shù)以及熱導(dǎo)率存在很大的差異，在器件的工作過程中會出現(xiàn)意想不到的問題。物理上，熱導(dǎo)率代表了物體導(dǎo)熱性能的

2023-03-16 http://www.xphdx.cn/Article/IGBTmokuaigouchengge.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊材料特性的熱導(dǎo)率和熱膨脹系數(shù)

IGBT功率模塊內(nèi)部由多層堆疊而成，各層的材料不同，其主要的作用也不同。金屬、陶瓷、硅凝膠和環(huán)氧樹脂塑料等，是目前功率半導(dǎo)體器件封裝的主要材料。不同材料的不同特性對IGBT器件的整體性能有著十分重要的影響，其中最主要的是影響散熱效果的材料熱導(dǎo)率和影響封裝體內(nèi)部各層間應(yīng)力的材料熱膨脹系數(shù)。1.材料的熱導(dǎo)率材料的熱導(dǎo)率體現(xiàn)了材料的導(dǎo)熱能力，熱導(dǎo)率越大，散熱效果越好，熱阻越小。根據(jù)現(xiàn)有資料，金屬（水銀除外）往往比非金屬的熱導(dǎo)率要大，純金屬的熱導(dǎo)率比合金熱導(dǎo)率大，合金比金屬-非金屬混合物熱導(dǎo)率大。IGBT模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要由基板、DBC板、焊接材料和其他封裝材料組成。常見DBC板材料的熱導(dǎo)率如表1所示。BeO陶瓷的熱導(dǎo)率最高，但由于BEO粉末有毒性，在生產(chǎn)制造過程中較為麻煩，限制了在工業(yè)中的廣泛應(yīng)用。AH2O3陶瓷絕緣性

2023-03-13 http://www.xphdx.cn/Article/IGBTmokuaicailiaotex.html
[行業(yè)動態(tài)]碳化硅陶瓷基板（SiC）對新能源汽車能帶來哪些有利影響

碳化硅陶瓷基板（SiC）對新能源汽車能帶來哪些有利影響在近兩年技術(shù)產(chǎn)品發(fā)布上，“SiC（碳化硅陶瓷基板）”成為了所有零部件供應(yīng)商和主機(jī)廠經(jīng)常提起的明星產(chǎn)品。汽車動力系統(tǒng)在發(fā)生三大變化，動力來源從內(nèi)燃機(jī)演變?yōu)殡妱訖C(jī)，功率半導(dǎo)體材料從硅轉(zhuǎn)向碳化硅，電壓平臺從400V升級到800V。相比硅基IGBT，SiC器件體積更小、功率密度高、耐壓強(qiáng)，應(yīng)用在800V平臺中能夠產(chǎn)生更高的系統(tǒng)優(yōu)勢，可以達(dá)到充電快和續(xù)航里程遠(yuǎn)的綜合效益。在碳化硅陶瓷基板（SiC）方面，第一個吃螃蟹的人是特斯拉。2018年，Model 3 為第一款采用全 SiC 功率模塊電機(jī)控制器的純電動汽車，開創(chuàng)碳化硅陶瓷基板應(yīng)用的先河?；?IGBT 的諸多優(yōu)勢，在 Model 3 問世之前，市面上的新能源車均采用 I

2022-10-27 http://www.xphdx.cn/Article/tanhuaguitaocijibanSi.html
[常見問題]多種基板對比!氮化鋁陶瓷基板在LED散熱中勝出

多種基板對比--氮化鋁陶瓷基板在LED散熱中勝出功率型LED封裝技術(shù)發(fā)展至今，可供選用的散熱基板包括環(huán)氧樹脂覆銅基板、金屬基覆銅基板、金屬基復(fù)合基板、陶瓷覆銅基板等。那么今天小編就來對比一下哪種基板在LED散熱中勝出，更受歡迎。LED封裝不斷向著高效率、高密度、大功率方向發(fā)展，對基板的散熱能力、載流能力、絕緣性能提出了更高的要求。以下分享一下環(huán)氧樹脂覆銅基板、金屬基覆銅基板、金屬基復(fù)合基板、陶瓷覆銅基板的優(yōu)劣看看哪種更適合LED功率器件。1，環(huán)氧樹脂覆銅基板環(huán)氧樹脂覆銅基板是傳統(tǒng)電子封裝中應(yīng)用最廣泛的基板。它起到支撐、導(dǎo)電和絕緣三個作用。其主要特性有：成本低、較高的耐吸濕性、密度低、易加工、易實現(xiàn)微細(xì)圖形電路、適合大規(guī)模生產(chǎn)等。但由于FR－4的基底材料

2022-10-27 http://www.xphdx.cn/Article/duozhongjibanduibi.html
[常見問題]氮化硅AMB陶瓷基板的制備流程

氮化硅AMB陶瓷基板的制備流程氮化硅陶瓷基板能量損耗、更容易小型化、更耐高溫高壓的優(yōu)勢在新能源汽車方面?zhèn)涫軞g迎，能起到提速、增加續(xù)航里程、汽車輕量化的目的；同時氮化硅AMB陶瓷基板還是SiC器件封裝基板的首選，傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求，DBC基板和氮化硅器件，在高溫過程中容易產(chǎn)生熱應(yīng)力，導(dǎo)致銅層剝離，采用氮化硅AMB陶瓷基板能夠小避免。本文要闡述的是氮化硅AMB陶瓷基板的特點以及制備流程。一，氮化硅AMB陶瓷基板的特點Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素（Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等）可以潤濕陶瓷表面的特性，將銅層通過活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶瓷板上。通過活性金屬釬焊（AMB

2022-10-19 http://www.xphdx.cn/Article/danhuaguiAMBtaocijib.html
[常見問題]氮化硅陶瓷基板金屬化

氮化硅陶瓷基板金屬化氮化硅陶瓷基板機(jī)械性能非常好，硬度強(qiáng)，耐磨損，導(dǎo)熱系數(shù)在85w~90w，在一些需要較強(qiáng)硬度和導(dǎo)熱性的產(chǎn)品領(lǐng)域被備受歡迎。比如汽車減振器的載板、交通軌道，IGTB載板、第三代半導(dǎo)體等。既能作為載板起到散熱很支持的作用，又能實現(xiàn)線路層互連，起到良好的電氣性能作用，那么就需要在氮化硅陶瓷基板做金屬化工藝。一，什么是氮化硅陶瓷基板金屬化氮化硅陶瓷基板金屬化，是在陶瓷基表面覆銅、或者做其他金屬。目前最常見的就是覆銅。氮化硅陶瓷基板金屬化后，通過線路、金屬孔等可以實現(xiàn)層級互連作用。二，氮化硅陶瓷基板金屬化技術(shù)-AMB工藝氮化硅陶瓷基板金屬化技術(shù)多采用AMB工藝，AMB技術(shù)是指，在800℃左右的高溫下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金屬的界面潤濕并反

2022-10-18 http://www.xphdx.cn/Article/danhuaguitaocijibanj.html
[常見問題]雙面陶瓷覆銅基板制作和價格

雙面陶瓷覆銅基板制作和價格雙面陶瓷覆銅基板通常是用于器件的載板，一方面起到承載和支持的作用，另一方面實現(xiàn)層級電路導(dǎo)通，導(dǎo)熱，散熱等效果。那么雙面陶瓷覆銅基板怎么制作的，價格怎么樣呢？一，雙面陶瓷覆銅基板制作工藝雙面陶瓷覆銅基板制作工藝有多種可以選擇，企業(yè)可以根據(jù)自身產(chǎn)品的性能要求，結(jié)合市場陶瓷覆銅板的制程能力水平設(shè)計圖紙和工藝要求來制作。雙面陶瓷覆銅基板目前主流的制作工藝有DPC鍍銅工藝、DBC燒結(jié)銅工藝、AMB活性釬焊工藝。DPC鍍銅工藝，線路層較薄，圖形精密度高、可以實現(xiàn)精密線路，金屬過孔等制作要求，大功率封裝基板多采用這種工藝；DBC陶瓷覆銅工藝，可做較厚線路層，耐熱性較好，比較適合大功率、大溫度變化的功率器件；AMB工藝，活性釬焊工藝，銅層均勻，可實現(xiàn)多次焊

2022-10-13 http://www.xphdx.cn/Article/shuangmiantaocifuton.html
[行業(yè)動態(tài)]高熱導(dǎo)氮化鋁陶瓷基板在宇航器件中的應(yīng)用

高熱導(dǎo)氮化鋁陶瓷基板在宇航器件中的應(yīng)用中國航天事業(yè)的快速發(fā)展促使航天器用超大規(guī)模集成電路及電子器件向高密度、高頻、高功率、高可靠性、微型化、多功能化方向發(fā)展。器件的熱流密度隨之增加，散熱問題逐漸凸顯，散熱材料是影響器件傳熱性能和可靠性的關(guān)鍵。因此，高導(dǎo)熱電絕緣材料成為電子系統(tǒng)高度集成化和小型化的突破口，其中，電絕緣陶瓷基板成為解決散熱問題的重要方向。氮化鋁陶瓷基板成為宇杭器件的散熱基板AlN陶瓷具有優(yōu)異的綜合性能，尤其是其出色的導(dǎo)熱性能，因而被廣泛用于電子電氣系統(tǒng)；作為結(jié)構(gòu)功能一體化的陶瓷材料，其介電性能也逐漸獲得足夠的重視，用于高功率微波管的輸能窗等；良好的良好的電絕緣性能，可以用作半導(dǎo)體表面鈍化、半導(dǎo)體基板材料和電子元器件的陶瓷封裝材料；此外，AlN陶瓷也可用于光學(xué)陶瓷材料。A

2022-10-12 http://www.xphdx.cn/Article/gaoredaodanhualvtaoc.html
[行業(yè)動態(tài)]覆銅陶瓷基板的應(yīng)用例舉

覆銅陶瓷基板的應(yīng)用例舉覆銅陶瓷基板也叫陶瓷覆銅板，在陶瓷基片的表面金屬化銅工藝，用來做為器件載板，同時事先層級電路連接，導(dǎo)熱導(dǎo)電等功能。那么覆銅陶瓷基板都應(yīng)用用到哪些領(lǐng)域呢？一，覆銅陶瓷基板應(yīng)用到新能源汽車產(chǎn)品電子控制系統(tǒng)是電動汽車的關(guān)鍵部件，其主要組成部分包括系統(tǒng)集成與軟件、芯片與特殊器件、IGBT模塊、車用傳感器、電子控制模塊與連接器、繼電器等。而IGBT（絕緣柵雙極晶體管）模塊是整個電子控制系統(tǒng)的“中樞神經(jīng)系統(tǒng)”，是驅(qū)動系統(tǒng)的核心，占控制器總成本的40%~50%。陶瓷覆銅板是銅-陶瓷-銅“三明治”結(jié)構(gòu)的復(fù)合材料，它具有陶瓷的散熱性好、絕緣性高、機(jī)械強(qiáng)度高、熱膨脹與芯片匹配的特性，又兼有無氧銅電流承載能力強(qiáng)、焊接和鍵合性能好、熱導(dǎo)

2022-10-11 http://www.xphdx.cn/Article/futongtaocijibandeyi.html
[常見問題]巨全！陶瓷基板與鋁基板的對比

巨全！陶瓷基板與鋁基板的對比隨著科技電子的發(fā)展，陶瓷基板應(yīng)用越來越廣泛，相比鋁基板原有的部分市場逐漸被陶瓷基板替代，那么陶瓷基板與鋁基板對比，有哪些突出的優(yōu)勢呢？一，什么是陶瓷基板，什么是鋁基板什么是陶瓷基板陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。什么是鋁基板鋁基板是一種具有良好散熱功能的金屬基覆銅板，一般單面板由三層結(jié)構(gòu)所組成，分別是電路層（銅箔）、絕緣層和金屬基層。用于高

2022-09-30 http://www.xphdx.cn/Article/juquantaocijibanyulv.html
[常見問題]陶瓷pcb板的優(yōu)勢、缺點、價格、制作工藝

陶瓷pcb板的優(yōu)勢、缺點、價格、制作工藝陶瓷pcb板在汽車電子、醫(yī)療器械、光伏系統(tǒng)、高端電源、半導(dǎo)體器件、LED等領(lǐng)域起著比較重要的作用。主要是因為陶瓷pcb板有著不同于PCB板的優(yōu)勢。一，陶瓷pcb板的優(yōu)勢和缺點 1.pcb板與陶瓷pcb的熱導(dǎo)率陶瓷pcb板不同于普通的pcb板，普通pcb板的熱導(dǎo)率只有幾w，而陶瓷pcb板的熱導(dǎo)率25w~230w，可見陶瓷pcb板的導(dǎo)熱率非常突出，因而在需要散熱的產(chǎn)品領(lǐng)域備受歡迎。其中氧化鋁陶瓷pcb板導(dǎo)熱率25w~30w;氮化鋁陶瓷pcb板的導(dǎo)熱率是在170W以上。2，陶瓷pcb板，絕緣性很強(qiáng)無論是鋁基板還是銅基板，還是fr-4pcb板，加上絕緣層，絕緣性都不如陶瓷pcb板，陶瓷pcb的絕緣值是10的負(fù)14次方，陶瓷pcb板本

2022-09-28 http://www.xphdx.cn/Article/taocipcbbandeyoushiq.html
[常見問題]氮化鋁陶瓷基板解決UVC紫光LED的散熱問題

氮化鋁陶瓷基板解決UVC紫光LED的散熱問題LED照明不斷發(fā)展，功率要求越來越高，大功率的LED照明用具，功率大了，那么散熱問題也隨之而來了。傳統(tǒng)的LED照明廠家多采用是銅基板、或者FR4基板，散熱效果不佳，容易老化，容易出現(xiàn)短路。UVC紫光LED也是，如果采用一般的銅基板，散熱問題就不能很好的解決，但是采用氮化鋁陶瓷基板制作的芯片，就能很好的解決UVC紫光照明的燒熱問題。一，深紫外UVCLED存在的問題散熱不足 UVC-LED對熱敏感高，由于UVC-LED的外量子效率（EQE）較低，在輸入的功率中，大約只有1-3％被轉(zhuǎn)換成光，而剩余的97％左右則基本被轉(zhuǎn)換成熱量。倘若不能及時的將熱量發(fā)散，保持LED芯片低于其最大工作溫度，將直接影響芯片的使用壽命

2022-09-21 http://www.xphdx.cn/Article/danhualvtaocijibanjib.html
[常見問題]覆銅陶瓷基板上市企業(yè)有哪些

覆銅陶瓷基板上市企業(yè)有哪些做陶瓷覆銅基板一定要找上市公司嗎？上市公司相對來說實力較為雄厚，在研發(fā)方面的投入會比較多，技術(shù)更新會比價先進(jìn)一些。選擇一個什么樣的覆銅陶瓷基板廠家更適合自己產(chǎn)品的交期和生產(chǎn)計劃呢?一，目前已經(jīng)上市的覆銅陶瓷基板企業(yè)江蘇富樂華半導(dǎo)體科技股份有限公司由上海申和投資有限公司控股，是專業(yè)從事功率半導(dǎo)體覆銅陶瓷載板（AMB、DCB和DPC）的集研發(fā)、制造、銷售于一體的先進(jìn)制造業(yè)公司，主要以服務(wù)半導(dǎo)體領(lǐng)域主。二，如何選擇合適的覆銅陶瓷基板廠家覆銅陶瓷基板廠家選擇主要還是要結(jié)合自身的產(chǎn)品交期，品質(zhì)要求，加工難度，數(shù)量要求、服務(wù)等綜合評估。比如樣品打樣，交期要求較為緊湊的，在選擇符合制程能力的前提下，選擇交期較快的中小型覆銅陶瓷基板廠家反而能夠更快的出貨，實現(xiàn)研

2022-09-16 http://www.xphdx.cn/Article/futongtaocijibanshan.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被廣泛使用的直接覆銅(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通過共晶鍵合法制備而成，銅和陶瓷之間沒有粘結(jié)材料，在高溫服役過程中，往往會因為銅和陶瓷(Al2O3或AlN)之間的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，從而導(dǎo)致銅層從陶瓷表面剝離，因此傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以潤濕陶瓷表面的特性，將銅層通過活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶

2022-09-13 http://www.xphdx.cn/Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
[公司動態(tài)]金瑞欣陶瓷電路板制程能力

金瑞欣陶瓷電路板制程能力金瑞欣（深圳市金瑞欣特種電路技術(shù)有限公司，以下簡稱“金瑞欣”）從2019年下半年以來就開始研發(fā)制作陶瓷電路板，主要隨著電子科技的迅速發(fā)展，市場上的鋁基板、銅基板、金屬基板包括FR-4板導(dǎo)熱性不足、絕緣性較差，不能滿足產(chǎn)品本身的性能，尤其是半導(dǎo)體產(chǎn)品、制冷片、導(dǎo)熱片、在交通軌道、電子電力、航天航空、光伏發(fā)電等領(lǐng)域產(chǎn)品性能方面對電路板主板提出了更高的要求。金瑞欣在陶瓷電路板方面有四年多的陶瓷電路板行業(yè)經(jīng)驗，今天小編來分享一下金瑞欣陶瓷電路板的制程能力和制作經(jīng)驗。一，金瑞欣不止在單雙面陶瓷電路板，在多層陶瓷電路板方面也有著比較豐富的經(jīng)驗。單雙面陶瓷電路板相對比較簡單，一般采用DPC工藝或者DBC工藝，amb工藝，多層陶瓷電路板

2022-09-07 http://www.xphdx.cn/Article/jinruixintaocidianluban.html