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氮化硅AMB陶瓷覆銅基板界面空洞率的關(guān)鍵技術(shù)與工藝探索

在現(xiàn)代電子封裝領(lǐng)域,氮化硅(Si?N?)AMB陶瓷覆銅基板憑借其卓越的熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)以及優(yōu)異的電氣絕緣性能,逐漸成為高端電子設(shè)備的關(guān)鍵材料。然而,銅/陶瓷界面的空洞率問題卻成為了制約其產(chǎn)品可靠性的核心瓶頸。高空洞率區(qū)域不僅會導(dǎo)致界面剝離強度顯著下降,還可能引發(fā)局部放電隱患,嚴(yán)重損害基板的電氣性能與長期服役可靠性,尤其是在高溫、大電流等嚴(yán)苛工況下。因此,將界面空洞率降至最低,甚至趨近于零,已成為保障基板質(zhì)量的關(guān)鍵目標(biāo),下面由深圳金瑞欣小編來講解一下:

氮化硅陶瓷覆銅板.jpg

空洞成因的深度解析

1、原料表面瑕疵

陶瓷、無氧銅及焊片表面的劃痕、凹坑、氧化或有機污染等問題,猶如隱形的“陷阱”,阻礙了焊料的潤濕鋪展,為界面空洞的形成埋下了隱患。這些微小的瑕疵在焊接過程中可能會導(dǎo)致焊料無法充分覆蓋,從而形成空洞。

2、活性元素失活

焊料中的關(guān)鍵活性元素鈦(Ti)極為敏感,極易在氧化環(huán)境中失去活性。若真空釬焊環(huán)境的真空度不足(需優(yōu)于10?3 Pa),Ti的活性將被削弱,焊料便無法有效潤濕陶瓷,進而引發(fā)大面積虛焊、漏焊現(xiàn)象,直接導(dǎo)致空洞的產(chǎn)生。

3、釬焊工藝失當(dāng)

Ag-Cu-Ti焊料需要在800℃以上的高溫條件下才能有效潤濕Si?N?表面。若焊接溫度過低或保溫時間過短,Ti與陶瓷的反應(yīng)將不充分,焊料的潤濕性也會大打折扣,從而導(dǎo)致空洞的形成。

4、焊膏印刷缺陷

在大面積焊膏印刷過程中,漏印、不均勻等問題時有發(fā)生。當(dāng)焊料熔化后,若未能完全覆蓋這些缺陷區(qū)域,便會在基板內(nèi)部形成直接空洞。

5、焊膏揮發(fā)與放氣

釬焊過程中,焊膏的揮發(fā)氣體以及助焊劑中有機酸與金屬氧化物反應(yīng)產(chǎn)生的氣泡,可能會被助焊劑包裹,或者滯留在界面處。如果這些氣泡未能及時排出,在焊料凝固后便會形成空洞。

6、降低空洞率的有效策略

1、基礎(chǔ)保障:嚴(yán)格表面處理與高真空環(huán)境

對Si?N?陶瓷和銅片進行徹底的除油、除氧化處理,是確保焊接質(zhì)量的前提。同時,必須提供并維持真空度優(yōu)于10?3 Pa的高真空釬焊環(huán)境,以防止Ti氧化失活,從而為后續(xù)的焊接工藝奠定堅實基礎(chǔ)。

2、核心要素:優(yōu)化釬焊壓力

研究表明,釬焊壓力是影響空洞率的最主要工藝參數(shù)之一。增大壓力不僅能促進母材與焊料的緊密接觸,加速接觸反應(yīng)熔化,還能增強熔化焊料的流動性,有效擠出界面氣體,從而顯著減少空洞的形成。這一結(jié)論在張義政等人的AMB工藝研究以及賈耀平等人的真空共晶焊接研究中均得到了證實。

3、氣氛探索:惰性氣體輔助

在微波模塊焊接中,真空+氮氣混合氣氛相較于單純真空環(huán)境,能夠更有效地降低空洞率。這一發(fā)現(xiàn)對AMB工藝具有重要的啟發(fā)意義。然而,需要注意的是,在高溫條件下,氮氣可能會與Ti發(fā)生反應(yīng),因此氦氣、氬氣等惰性氣體或許會是AMB工藝中更安全的選擇。

現(xiàn)狀與未來方向

目前,銀銅鈦焊膏因其工藝簡單、成本低、易儲存等優(yōu)點,依然是國內(nèi)AMB工藝的主流選擇。然而,針對焊膏焊接過程中空洞率的降低措施,國內(nèi)外文獻鮮有深入報道。這無疑也成為了未來工藝突破的重要方向之一。

總結(jié)

攻克Si?N?-AMB基板銅/陶瓷界面空洞難題,需要從原料表面質(zhì)量管控、高真空環(huán)境保障、精確優(yōu)化釬焊壓力(作為關(guān)鍵抓手)以及探索惰性氣體輔助等方面協(xié)同發(fā)力。唯有將界面空洞率降至最低,甚至趨近于零,才能確?;逶趪?yán)苛工況下的高可靠運行,從而推動國產(chǎn)高端陶瓷基板的技術(shù)突圍,助力我國電子封裝行業(yè)邁向更高水平。

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